BSIM5: An advanced charge-based MOSFET model for nanoscale VLSI circuit simulation
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DOI：
10.1016/j.sse.2006.12.006
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发表时间：
2007-03
影响因子：
1.7
通讯作者：
Jin He;X. Xi;H. Wan;M. Dunga;M. Chan;A. Niknejad
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Jin He;X. Xi;H. Wan;M. Dunga;M. Chan;A. Niknejad
