Scattering potentials at Si-Ge and Sn-Ge impurity dimers on Ge(001) studied by scanning tunneling microscopy and ab initio calculations
Scattering potentials at Si-Ge and Sn-Ge impurity dimers on Ge(001) studied by scanning tunneling microscopy and ab initio calculations
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通过扫描隧道显微镜和从头计算研究 Ge(001) 上 Si-Ge 和 Sn-Ge 杂质二聚体的散射势
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
他
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kota Tomatsu;Binghai Yan;Chenchen Wang;他
