Ultra-short pulse generation by a topological insulator based saturable absorber
Ultra-short pulse generation by a topological insulator based saturable absorber
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基于拓扑绝缘体的可饱和吸收体产生超短脉冲
DOI：
10.1063/1.4767919
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发表时间：
2012-11
影响因子：
4
通讯作者：
Tang, Dingyuan
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Chen, Yu;Wang, Zhiteng;Wen, Shuangchun;Tang, Dingyuan
在强激光辐射下，狄拉克材料，拓扑绝缘体（TI）Bi2Te3，表现出作为饱和吸收的结果的光学透射率增加。基于在1550 nm处的开孔Z扫描测量，我们清楚地表明，TI，Bi2Te3在我们的调查，确实是一个非常高的调制深度（高达95%）的可饱和吸收体。此外，一个TI基饱和吸收器设备的制造和使用作为一个被动锁模超快脉冲形成在电信波段。这一贡献清楚地表明，除了其奇妙的电子性质，TI（Bi_2Te_3）也可能具有吸引人的超快光子学的光电性能。
Under strong laser radiation, a Dirac material, the topological insulator (TI) Bi2Te3, exhibits an optical transmittance increase as a result of saturable absorption. Based on an open-aperture Z-scan measurement at 1550 nm, we clearly show that the TI, Bi2Te3 under our investigation, is indeed a very-high-modulation-depth (up to 95%) saturable absorber. Furthermore, a TI based saturable absorber device was fabricated and used as a passive mode locker for ultrafast pulse formation at the telecommunication band. This contribution unambiguously shows that apart from its fantastic electronic property, a TI (Bi2Te3) may also possess attractive optoelectronic property for ultrafast photonics.
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