Siliciumverbindungen von Neon und Argon
Siliciumverbindungen von Neon und Argon
复制标题
氖气和氩气的硅结合
DOI：
10.1002/ange.200903706
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发表时间：
2009
影响因子：
--
通讯作者：
D. Schröder
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jana Roithová;D. Schröder
1962年6月1日，在德国化学研究中心进行了一项研究，并在高温下进行了光解实验。[2-4] [footnoteref: 3] [footnoteref: 4] [footnoteref: 3] [footnoteref: 3] [footnoteref: 3] [footnoteref: 3] [footnoteref: 3] [footnoteref: 3][4,5] [ei zeigen wir, wie mit der Verwendung des sif32 +- didiations als superelectrophilophiles regens] [6,7] beide Aspekte angeggan werden können.]他是一名化学工程师，他是一名化学工程师，他是一名化学工程师，他是一名化学工程师。[j] .天然气工业与天然气工业，2006年1月。[j] .天然气工业k<s:1> rzlich ist es uns gelungen, mithlife dieser strategy die organoargonverindungen ArCH2+ und ArC2H2+ zu erzeeugen, doch waren die Ausbeuten enttäuschend niedrig；[9, 10]陈志刚，王志刚，王志刚，等。硅藻与Ar2+的关系研究[j]。[11,12] Ein effizienteres dikationisches Reagens zur Aktivierung von Edelgasen muss nicht nur Ein Ein potentes elekophili sein，现代darber hinaus folgene Eigenschaften aufweisen: 1) Es sollte <e:1> berine Abgangsgruppe verf<e:1>, die durch in Edelgasatom ersetzt werden kann, ohne dass dabei eine beträchtliche kinetische Hinderung erfolt （zB Ein homolytischer Bindungsbruch）。2) In Anbetracht der bevorzugten Oxidationsstufen von Edelgasen erscheinen verschinen Elektronenzahl als bevorzugt, bbb10 sodass, In Fall einer homolytischen Abspaltung der Abgangsgruppe, das dikationische Reagens In Radikal sein sollte。3)德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国4) zguter Letzt muss as在<s:1> r Reaktivitätsstudien的超级亲电性扩散ausreichender Menge erzeugt werden können。[14,15] [j]三氟化硅-硅酸盐-硅酸盐-硅酸盐-硅酸盐-硅酸盐-硅酸盐-硅酸盐-硅酸盐-硅酸盐-硅酸盐][j]。Es 1 einfach durch解离多电离der stabilen neutralen vorstue SiF4 zugänglich，[17] die Es als hohe rekombinationsenerggie RE (sif32 +) von ca. 22.4 eV,[17] die Es als superelekophili klassiiert, verfgt <e:1> ber eine <e:1> berraschend schwache Si-F-Bindung mit D (F2Si2+-F)= 1.97 eV, and die IE von Fluor als potentizieller Abgangsgruppe ist außergewöhnlich hoch （17.4 eV）。
Die 1962 entdeckten Edelgasverbindungen [1] stehen noch heute im Zentrum der Aufmerksamkeit der chemischen Forschung, wobei in den letzten Jahren Photolyseexperimente in Tieftemperatur-Matrices die Impulse gegeben haben.[2–4] Offene Fragen in der Edelgaschemie betreffen die Bildung neuer Edelgas-Heteroatom-Bindungen, mit dem Element Silicium als eine besondere Herausforderung, und die Erzeugung neuer Verbindungen der leichteren Edelgase Neon und Argon.[4, 5] Hier zeigen wir, wie mit der Verwendung des SiF3 2+-Dikations als superelektrophiles Reagens [6, 7] beide Aspekte angegangen werden können. Es ist offensichtlich, dass die Bildung von chemischen Bindungen mit den inerten Edelgasen die Verwendung starker Oxidationsmittel wie F2 erfordert. In diesem Zusammenhang schlugen wir 2006 vor, Gasphasenreaktionen von Dikationen zu nutzen.[8] Kürzlich ist es uns gelungen, mithilfe dieser Strategie die Organoargonverbindungen ArCH2+ und ArC2H2+ zu erzeugen, doch waren die Ausbeuten enttäuschend niedrig;[9, 10] geringe Mengen des diatomaren Dikations ArC2+ wurden bereits vorher in stoßinduzierten Reaktionen von neutralem CO mit Ar2+ und von neutralem Ar mit CO2+ nachgewiesen.[11, 12] Ein effizienteres dikationisches Reagens zur Aktivierung von Edelgasen muss nicht nur ein potentes Elektrophil sein, sondern darüber hinaus folgende Eigenschaften aufweisen: 1) Es sollte über eine Abgangsgruppe verfügen, die durch ein Edelgasatom ersetzt werden kann, ohne dass dabei eine beträchtliche kinetische Hinderung erfolgt (zB ein homolytischer Bindungsbruch). 2) In Anbetracht der bevorzugten Oxidationsstufen von Edelgasen erscheinen Verbindungen mit geradzahliger Elektronenzahl als bevorzugt,[13] sodass, im Fall einer homolytischen Abspaltung der Abgangsgruppe, das dikationische Reagens ein Radikal sein sollte. 3) Zur Unterdrückung von Elektronentransferprozessen im Verlauf der Abspaltung der Abgangsgruppe, die wieder zu offenschaligen Edelgasverbindungen führen würden, sollte die Abgangsgruppe eine hohe Ionisierungsenergie (IE) aufweisen. 4) Zu guter Letzt muss das superelektrophile Dikation in für Reaktivitätsstudien ausreichender Menge erzeugt werden können.[14, 15] Das Siliciumtrifluorid-Dikation SiF3 2+ bietet sich in diesem Zusammenhang als vielversprechender Kandidat an: Es ist einfach durch dissoziative Doppelionisation der stabilen neutralen Vorstufe SiF4 zugänglich,[16] hat eine hohe Rekombinationsenergie RE (SiF3 2+) von ca. 22.4 eV,[17] die es als Superelektrophil klassifiziert, verfügt über eine überraschend schwache Si-F-Bindung mit D (F2Si2+-F)= 1.97 eV, und die IE von Fluor als potenzieller Abgangsgruppe ist außergewöhnlich hoch (17.4 eV).
乙炔双标与稀有气体反应生成有机稀有气体双标 HCCRg2（Rg = Ar 和 Kr）。
DOI：
10.1039/b810398d
发表时间：
2008
期刊：
PCCP
影响因子：
--
作者：
Ascenzi D
通讯作者：
Ascenzi D