高誘電率絶縁膜/SiO2界面のダイポール形成と化学構造の関係
高誘電率絶縁膜/SiO2界面のダイポール形成と化学構造の関係
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高介电常数绝缘膜/SiO2界面偶极子形成与化学结构的关系
DOI:
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发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
宮崎 誠一
中科院分区:
文献类型:
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作者:
藤村 信幸;大田 晃生;池田 弥央;牧原 克典;宮崎 誠一