A. Matsushita, Y.-Q. Zhang, T. Sadoh, and T. Tsurushima: ""Characterization of CoSiィイD22ィエD2 Gate MOS Structure Formed by Ion Irradiation""Res. Rep. Information Sci. and Electrical Eng. of Kyushu Univ.. Vol.4, No.1. 47-52 (1999)
A. Matsushita, Y.-Q. Zhang, T. Sadoh, and T. Tsurushima: ""Characterization of CoSiィイD22ィエD2 Gate MOS Structure Formed by Ion Irradiation""Res. Rep. Information Sci. and Electrical Eng. of Kyushu Univ.. Vol.4, No.1. 47-52 (1999)
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A. Matsushita、Y.-Q. 张、T. Sadoh 和 T. Tsurushima：“离子辐照形成的 CoSiD22 栅极 MOS 结构的表征”Res. 九州大学信息科学与电气工程。 4、第 47-52 号（1999）
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