High temperature growth of high crystalline GaN layers with a high growth rate by vapor phase epitaxy using Ga_2O as a Ga source
High temperature growth of high crystalline GaN layers with a high growth rate by vapor phase epitaxy using Ga_2O as a Ga source
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以Ga_2O为Ga源，通过气相外延法高温高生长速率生长高结晶GaN层
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yuan Bu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yuan Bu;Akira Kitamoto;Hiroaki Takatsu;Masami Juta;Tomoaka Sumi;Marnoru Imade;Masashi Yoshimura;Masashi Isemura and Yusuke Mori;Yuan Bu;Yuan Bu;Yuan Bu;Yuan Bu;Yuan Bu;Yuan Bu
