High Quality SiC Single Crystal Grown by Soltion Growth Method
High Quality SiC Single Crystal Grown by Soltion Growth Method
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溶液生长法生长高品质SiC单晶
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Ujihara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Araki;P. Wang;D. Tanaka;S. Ryuzaki;K. Okamoto;K. Tamada;小玉重夫;T. Ujihara
