ガスソースMBE法により作製した3C-SiC(111)自立基板の電気的評価

ガスソースMBE法により作製した3C-SiC(111)自立基板の電気的評価
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气源MBE法制备3C-SiC(111)自支撑衬底的电学评估

DOI:
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发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
川村啓介
川村啓介
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
中野由崇;浅村英俊;大内澄人;生川満久;稲垣徹;川村啓介

文献摘要

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