Low temperature UV/ozone oxidation formation of HfSiON gate dielectric
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DOI：
10.1016/j.tsf.2004.01.109
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发表时间：
2004-07
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
G. Pant;P. Punchaipetch;M. J. Kim;R. Wallace;B. Gnade
中科院分区：
文献类型：
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作者：
G. Pant;P. Punchaipetch;M. J. Kim;R. Wallace;B. Gnade
