T.Egawa, A.Sakai, T.Yamamoto, N.Taoka, Q.Nakatsuka, 他2名: "Strain-relaxation mechanisms of SiGe layers formed by two-step growth on Si(0 0 1) substrates"Applied Surface Science. 224. 104-107 (2004)
T.Egawa, A.Sakai, T.Yamamoto, N.Taoka, Q.Nakatsuka, 他2名: "Strain-relaxation mechanisms of SiGe layers formed by two-step growth on Si(0 0 1) substrates"Applied Surface Science. 224. 104-107 (2004)
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T.Ekawa、A.Sakai、T.Yamamoto、N.Taoka、Q.Nakatsuka 和另外 2 人：“在 Si(0 0 1) 衬底上两步生长形成的 SiGe 层的应变松弛机制”应用表面科学. 224. 104-107 (2004)
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