Breakthrough Short Circuit Robustness Demonstrated in Vertical GaN Fin JFET
Breakthrough Short Circuit Robustness Demonstrated in Vertical GaN Fin JFET
复制标题
垂直 GaN Fin JFET 展现突破性的短路稳定性
DOI：
10.1109/tpel.2021.3138451
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发表时间：
2022
影响因子：
6.7
通讯作者：
Zhang, Yuhao
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Zhang, Ruizhe;Liu, Jingcun;Li, Qiang;Pidaparthi, Subhash;Edwards, Andrew;Drowley, Cliff;Zhang, Yuhao
