Takahiro Kawai: "Initial Growth Process of GaAs on Ge Substrate and Pseudomorphic Si Interlayer" Journal of Crystal Growth.
Takahiro Kawai: "Initial Growth Process of GaAs on Ge Substrate and Pseudomorphic Si Interlayer" Journal of Crystal Growth.
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Takahiro Kawai：“GaAs 在 Ge 衬底和伪晶 Si 中间层上的初始生长过程”晶体生长杂志。
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
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作者：
影响因子：
5
作者：
Le Guillou, Corentin;Bernard, Sylvain;Remusat, Laurent
通讯作者：
Remusat, Laurent