A Study on the Improved Programming Characteristics of Flash Memory with Si3N4/SiO2 Stacked Tunneling Dielectric
A Study on the Improved Programming Characteristics of Flash Memory with Si3N4/SiO2 Stacked Tunneling Dielectric
复制标题
Si3N4/SiO2堆叠隧道介质改善闪存编程特性的研究
DOI：
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发表时间：
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影响因子：
1.6
通讯作者：
P. T. Lai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
L. Liu;J. P. Xu;L. L. Chen;P. T. Lai
