Magneto-capacitance measurement of a selectively doped n-A1GaAs/GaAshetero junction with InGaAs quantum dots
Magneto-capacitance measurement of a selectively doped n-A1GaAs/GaAshetero junction with InGaAs quantum dots
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具有 InGaAs 量子点的选择性掺杂 n-A1GaAs/GaAshetero 结的磁电容测量
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Kawazu,H. Sakaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
I. TANAKA;Y. Tada;S. Nakatani;K. Uno;M. Azuma;K. Umemura;I. Kamiya;and H. Sakaki;T.Kawazu and H.Sakaki;T. Kawazu,H. Sakaki
