Interface Engineering of High-k Gate Dielectrics for Advanced CMOS

Interface Engineering of High-k Gate Dielectrics for Advanced CMOS
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先进 CMOS 的高 k 栅极电介质的接口工程

DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
Abstracts of Handai Nanoscience and Technology International Symposium
影响因子：
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通讯作者：
H.Watanabe
H.Watanabe
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
尾崎 哲;他;H.Watanabe;S.Horie;H.Watanabe

文献摘要

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