Terrestrial Neutron-Induced Soft Errors in Advanced Memory Devices
Terrestrial Neutron-Induced Soft Errors in Advanced Memory Devices
复制标题
先进存储设备中的陆地中子引起的软错误
DOI：
10.1142/6661
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Kameyama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takashi Nakamura;M. Baba;E. Ibe;Y. Yahagi;H. Kameyama
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