Carbon doping effect on strain relaxation during Si_<1-x-y>Ge_xC_y epitaxial growth on Si(100) at 500℃,
Carbon doping effect on strain relaxation during Si_<1-x-y>Ge_xC_y epitaxial growth on Si(100) at 500℃,
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碳掺杂对500℃ Si(100)上Si_<1-x-y>Ge_xC_y外延生长应变弛豫的影响，
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Nitta et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Kaj;T.Yamada;N.Tsukamoto;F.Horii;J.Uhm et al.;K.Sugawara et al.;H.Nitta et al.
