A.Yanada: "Heaviry Pーdoped (>10^<21> cm^<ー3>)Si and SiGe films grown by photoーCVD at 250℃" J.Electronic Materials,. 19. 1083-1087 (1990)
A.Yanada: "Heaviry Pーdoped (>10^<21> cm^<ー3>)Si and SiGe films grown by photoーCVD at 250℃" J.Electronic Materials,. 19. 1083-1087 (1990)
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A.Yanada：“在250℃下通过光CVD生长的重P掺杂(>10^<21>cm^-3>)Si和SiGe薄膜”J.Electronic Materials,. 19. 1083-1087 (1990)
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