Full Chip Power Benefits with Negative Capacitance FETs

Full Chip Power Benefits with Negative Capacitance FETs
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负电容 FET 带来全芯片功率优势

DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
Proceedings - International Symposium on Low Power Electronics and Design
影响因子：
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通讯作者：
Lim, Sung Kyu
Lim, Sung Kyu
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
Samal, Sandeep;Khandelwal, Sourabh;Khan, Asif;Salahuddin, Sayeef;Hu, Chenming;Lim, Sung Kyu

文献摘要

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