T, Takahashi: "The Effect of Gas-Phase Additives C_2H_4,C_2H_6,and C_2H_2 on SiH_4/O_2 Chemical Vapor Deposition" J.Electrochem.Soc.142(4). 1355-1361 (1996)
T, Takahashi: "The Effect of Gas-Phase Additives C_2H_4,C_2H_6,and C_2H_2 on SiH_4/O_2 Chemical Vapor Deposition" J.Electrochem.Soc.142(4). 1355-1361 (1996)
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T, Takahashi：“气相添加剂 C_2H_4、C_2H_6 和 C_2H_2 对 SiH_4/O_2 化学气相沉积的影响”J.Electrochem.Soc.142(4)。
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