Gaas-Alas Monolithic Microresonator Arrays
Gaas-Alas Monolithic Microresonator Arrays
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Gaas-Alas 单片微谐振器阵列
DOI：
10.1117/12.944060
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发表时间：
1987
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. English
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Jewell;A. Scherer;S. Mccall;A. Gossard;J. English
宽度为 1.5-5 μm 的单片光学逻辑器件是通过离子束辅助蚀刻通过分子束外延生长的 GaAs/AlAs 法布里-珀罗结构来定义的。它们表现出降低的能量需求（比未蚀刻异质结构小 30 倍）、小阵列上的均匀响应、3 μm 中心间距下的串扰可忽略不计、恢复时间 <200 ps 以及 82 MHz 工作频率下的热稳定性。所有实验均在室温下进行。
Monolithic optical logic devices 1.5-5 μm across are defined by ion-beam assisted etching through a GaAs/AlAs Fabry-Perot structure grown by molecular beam epitaxy. They show reduced energy requirements (factor 30 smaller than the unetched heterostructure), uniform response over small arrays, negligible crosstalk at 3-μm center-center spacing, <200 ps recovery time and thermal stability at 82 MHz operating frequency. All experiments were performed at room temperature.