Acoustic Phonon Limited Electron Mobility in SOI, Double-Gate, and FinFET:Is Bulk Phonon Assumption Valid?
Acoustic Phonon Limited Electron Mobility in SOI, Double-Gate, and FinFET:Is Bulk Phonon Assumption Valid?
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SOI、双栅和 FinFET 中的声学声子限制电子迁移率：体声子假设有效吗？
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Shigeyasu Uno
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shigeyasu Uno;宇野重康;服部淳一;Junichi Hattori;Shigeyasu Uno
