Effect of Surface Roughness on the Channel Mobility of 4H-SiC MOSFETs Considering Different Temperatures
Effect of Surface Roughness on the Channel Mobility of 4H-SiC MOSFETs Considering Different Temperatures
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考虑不同温度时表面粗糙度对4H-SiC MOSFET沟道迁移率的影响
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Chen Weiwei
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Zhou Yuming;Chen Weiwei
