Higher temperature operation of the single electron transistors based on single-wall carbon nanotubes
Higher temperature operation of the single electron transistors based on single-wall carbon nanotubes
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基于单壁碳纳米管的单电子晶体管的高温工作
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Ishibashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Mori;S. Sato;K. Omura;S. Yajima;Y. Tsuruoka;K. Uchida;Y. Achiba;H. Yajima;K. Ishibashi
