Structural change of Ga2O3 film on GaN(0001) substrate by atomic layer deposition and post deposition annealing
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原子层沉积和沉积后退火在GaN(0001)衬底上Ga2O3薄膜的结构变化
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Kazuhito Tsukagoshi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Tomomi Sawada;Toshihide Nabatame;Makoto Takahashi;Kazuhiro Ito;Takashi Onaya;Yoshihiro Irokawa;Yasuo Koide;and Kazuhito Tsukagoshi
