Formation of Source and Drain for Polycrystalline Si Thin Film Transistors Using Thermal Plasma Jet lnduced Impurity Activation
Formation of Source and Drain for Polycrystalline Si Thin Film Transistors Using Thermal Plasma Jet lnduced Impurity Activation
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利用热等离子体射流诱导杂质激活形成多晶硅薄膜晶体管的源极和漏极
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Kaku
中科院分区：
文献类型：
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作者：
古川 弘和;他;H. Kaku
