The dopant density and temperature dependence of hole mobility and resistivity in boron doped silicon
The dopant density and temperature dependence of hole mobility and resistivity in boron doped silicon
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DOI：
10.1016/0038-1101(78)90345-3
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发表时间：
1978-09
影响因子：
1.7
通讯作者：
S. Li
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Li
