Comparison of Si < 100 > and < 110 > crystal orientation nanowire transistor reliability using Poisson-Schrödinger and classical simulations
Comparison of Si < 100 > and < 110 > crystal orientation nanowire transistor reliability using Poisson-Schrödinger and classical simulations
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使用泊松-薛定谔和经典模拟比较 Si <100> 和 <110> 晶体取向纳米线晶体管的可靠性
DOI：
10.1016/j.microrel.2015.06.094
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发表时间：
2015
影响因子：
1.6
通讯作者：
Gerrer L
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Gerrer L
