An InAs/high-k/low-k structure: electron transport and interface analysis
An InAs/high-k/low-k structure: electron transport and interface analysis
复制标题
InAs/高 k/低 k 结构：电子传输和界面分析
DOI：
10.1063/1.4983176
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
1.6
通讯作者：
and T. Suzuki.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Ui;R. Mori;S. P. Le;Y. Oshima;and T. Suzuki.
