Single-Event Characterization of the 28 nm Xilinx Kintex-7 Field-Programmable Gate Array under Heavy Ion Irradiation
Single-Event Characterization of the 28 nm Xilinx Kintex-7 Field-Programmable Gate Array under Heavy Ion Irradiation
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重离子辐照下 28 nm Xilinx Kintex-7 现场可编程门阵列的单粒子表征
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Le
中科院分区：
文献类型：
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作者：
David Lee;M. Wirthlin;G. Swift;A. Le
本研究探讨了Xilinx 28 nm Kintex-7 FPGA的重离子辐照的单事件响应。提供了配置SRAM单元、用户可访问触发器单元和BlockRAM™存储器的单粒子效应结果。这项研究还描述了一个非常规的单粒子闭锁签名在测试过程中观察到的。
This study examines the single-event response of the Xilinx 28 nm Kintex-7 FPGA irradiated with heavy ions. Results for single-event effects on configuration SRAM cells, user-accessible Flip-Flop cells, and BlockRAM™ memory are provided. This study also describes an unconventional single event latch-up signature observed during testing.