半绝缘InP中深能级缺陷对电学性

半绝缘InP中深能级缺陷对电学性
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DOI:
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发表时间:
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期刊:
半导体学报, V27,No.3, (2006)pp524-528
影响因子:
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通讯作者:
赵有文, 董志远,李成基,段满龙,
赵有文, 董志远,李成基,段满龙,
中科院分区:
其他
文献类型:
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作者:
赵有文, 董志远,李成基,段满龙,

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