Maskless proton beam writing in gallium arsenide
Maskless proton beam writing in gallium arsenide
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无掩模质子束在砷化镓中写入
DOI：
10.1016/j.nimb.2007.02.059
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发表时间：
2007
影响因子：
1.3
通讯作者：
K. Kirkby
中科院分区：
文献类型：
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作者：
P. Mistry;I. Gomez;R. Smith;D. Thomson;G. Grime;R. Webb;R. Gwilliam;C. Jeynes;A. Cansell;M. Merchant;K. Kirkby
