A low specific on-resistance SOI MOSFET with dual gates and recessed drain

A low specific on-resistance SOI MOSFET with dual gates and recessed drain
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具有双栅极和凹进漏极的低比导通电阻 SOI MOSFET

DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
Chinese Physics B
影响因子：
1.7
通讯作者：
Wang Pei
Wang Pei
中科院分区：
物理与天体物理3区
文献类型：
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作者：
Zhang Zhengyuan;Fan Yuanhang;Cai Jinyong;Wang Pei

文献摘要

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