Structural properties of tensile-strained Si layers grown on Si1−xGex virtual substrates (x = 0.2, 0.3, 0.4 and 0.5)
Structural properties of tensile-strained Si layers grown on Si1−xGex virtual substrates (x = 0.2, 0.3, 0.4 and 0.5)
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在 Si1−xGex 虚拟基板上生长的拉伸应变 Si 层的结构特性（x = 0.2、0.3、0.4 和 0.5）
DOI：
10.1016/j.tsf.2007.12.162
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
T. Billon
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Hartmann;A. Abbadie;D. Rouchon;J. Barnes;M. Mermoux;T. Billon
