Si Tunneling Field Effect Transistor with Tunnelling In-Line with the Gate Field
Si Tunneling Field Effect Transistor with Tunnelling In-Line with the Gate Field
复制标题
具有与栅极场一致的隧道效应的硅隧道场效应晶体管
DOI：
10.1109/istdm.2012.6222411
复制
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
J. Schulze
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
I. A. Fischer;D. Hahnel;H. Isemann;A. Kottantharayil;G. Murali;M. Oehme;J. Schulze
