High-speed Si CMOS APD Fabricated by Standard CMOS Process
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采用标准 CMOS 工艺制造的高速 Si CMOS APD
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Toshiyuki Shimotori
中科院分区：
文献类型：
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作者：
C. Monteiro;高橋康宏;関根敏和;Toshiyuki Shimotori
