Y.X.Liu, K.Ishii, T.Tsusumi, M.Masahara, T.Sekigawa, K.Sakamoto, H.Takashima, E.Suzuki: "Electrical Property of Ideal Rectangular Si-Fin Channel Double-Gate MOSFETS"Abstracts of 2003 Silicon Nanoelectronics Workshop.. 64-65 (2003)
Y.X.Liu, K.Ishii, T.Tsusumi, M.Masahara, T.Sekigawa, K.Sakamoto, H.Takashima, E.Suzuki: "Electrical Property of Ideal Rectangular Si-Fin Channel Double-Gate MOSFETS"Abstracts of 2003 Silicon Nanoelectronics Workshop.. 64-65 (2003)
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Y.X.Liu、K.Ishii、T.Tsusumi、M.Masahara、T.Sekikawa、K.Sakamoto、H.Takashima、E.Suzuki：“理想矩形 Si-Fin 通道双栅极 MOSFET 的电气特性”2003 年硅摘要
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