NiSi2バッファ層を用いたSi基板上弗化物共鳴トンネルダイオードの検討
NiSi2バッファ層を用いたSi基板上弗化物共鳴トンネルダイオードの検討
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基于NiSi2缓冲层的Si衬底氟化物谐振隧道二极管的研究
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
筒井一生
中科院分区：
文献类型：
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作者：
横手義智;高橋慶太;吉住友樹;大下隆生;筒井一生
