Ni-InGaAsP alloy for low-resistivity lateral PIN junction of carrier-injected InGaAsP photonic devices
Ni-InGaAsP alloy for low-resistivity lateral PIN junction of carrier-injected InGaAsP photonic devices
复制标题
用于载流子注入 InGaAsP 光子器件低电阻率横向 PIN 结的 Ni-InGaAsP 合金
DOI：
--
复制
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Mitsuru Takenaka and Shinichi Takagi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jin-Kwon Park;Mitsuru Takenaka and Shinichi Takagi
