SiH4 conversion rate in Si etching reaction induced by high-pressure hydrogen plasma
SiH4 conversion rate in Si etching reaction induced by high-pressure hydrogen plasma
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高压氢等离子体诱导硅刻蚀反应中SiH4转化率
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Kiyoshi Yasutake
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hiromasa Ohmi;Hiroaki Kakiuchi;and Kiyoshi Yasutake
