The damage analysis for irradiation tolerant spin-driven thermoelectric device based on single-crystalline Y3Fe5O12/Pt heterostructures
The damage analysis for irradiation tolerant spin-driven thermoelectric device based on single-crystalline Y3Fe5O12/Pt heterostructures
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基于单晶Y3Fe5O12/Pt异质结的耐辐照自旋驱动热电器件损伤分析
DOI：
10.1109/tmag.2022.3145888
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发表时间：
2022
影响因子：
2.1
通讯作者：
Saitoh Eiji
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ieda Jun'ichi;Okayasu Satoru;Harii Kazuya;Kobata Masaaki;Yoshii Kenji;Fukuda Tatsuo;Ishida Masahiko;Saitoh Eiji
スピンゼーベック効果 (SSE) に基づくスピン駆動熱電 (STE) デバイスと, 熱源としての放射性同位元素の組み合わせは, 宇宙探査機の電源などの応用における次世代の発電方法としての可能性を秘めている. しかし, スピン熱電デバイスの照射耐性を示す利用可能な知識は非常に限られている. 重イオンビーム加速器と硬 X 線光電子分光法 (HAXPES) 測定を使用した分析を通じて, YFeO/Pt ヘテロ構造に基づく典型的な STE デバイスが高エネルギー重イオンビームの照射に対する耐性を持つことを検証する. 使用済み核燃料の表面から放出される核分裂生成物による累積損傷をモデル化した 320MeV の金イオンビームを使用し, 線量レベルを変えることにより, SSE 要素の熱電および磁気特性がイオン/cmフルエンスまでのイオン照射線量の影響を受けず, イオントラックがサンプル表面をほぼ完全に覆う約イオン/cmで SSE 信号が消滅することを確認した. さらに, HAXPES 測定は, YFeO/Pt 界面への影響を理解するために実行した. HAXPES 測定は, SSE 信号を減少させる化学反応が照射線量の増加とともに強化されることを示唆している. 過酷な環境使用に適用できるより優れた STE デバイスを開発するために, YFeO/Pt で損傷分析の現在の理解を共有したい.