Growth and characterization of group-III impurity-doped semiconducting BaSi_-2 films grown by molecular beam epitaxy
Growth and characterization of group-III impurity-doped semiconducting BaSi_-2 films grown by molecular beam epitaxy
复制标题
分子束外延生长III族杂质半导体BaSi_-2薄膜的生长及表征
DOI：
--
复制
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
K. Morita and T. Suemasu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Kobayashi;K. Morita and T. Suemasu
