Metal-insulator-metal transition in Sr2Rh1-xRuxO4(0≤x≤1)
Metal-insulator-metal transition in Sr2Rh1-xRuxO4(0≤x≤1)
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Sr2Rh1-xRuxO4(0≤x≤1)中的金属-绝缘体-金属转变
DOI：
10.1063/1.1530372
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发表时间：
2002
影响因子：
4
通讯作者：
Y. Matsumoto
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Koida;T. Wakisaka;K. Itaka;H. Koinuma;Y. Matsumoto
系统地研究了 c 轴取向外延 Sr2Rh1−xRuxO4 (0⩽x⩽1) 薄膜的结构和电学特性。在温度梯度 (LaAlO3)0.3(Sr2AlTaO6)0.7 基板上制造成分扩散膜，以快速优化具有每种成分 (x) 的高质量晶体膜的生长温度。观察到异常的 c 轴长度对 x 的依赖性，并且伴随着电特性的明显变化，即金属-绝缘体-金属转变。
Structural and electrical properties of c-axis oriented epitaxial Sr2Rh1−xRuxO4 (0⩽x⩽1) films were systematically investigated. The composition-spread films were fabricated on a temperature gradient (LaAlO3)0.3(Sr2AlTaO6)0.7 substrate to quickly optimize the growth temperature for a high-quality crystalline film having each composition (x). An anomalous c-axis length dependence on x was observed, and it was accompanied by a distinct change in electric property, that is, a metal–insulator–metal transition.
DOI：
10.1007/bf01303701
发表时间：
1986-01-01
期刊：
ZEITSCHRIFT FUR PHYSIK B-CONDENSED MATTER
影响因子：
--
作者：
BEDNORZ, JG;MULLER, KA
通讯作者：
MULLER, KA