An explicit surface-potential-based MOSFET model for circuit simulation
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DOI：
10.1016/s0038-1101(99)00219-1
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发表时间：
2000-03
影响因子：
1.7
通讯作者：
R. V. Langevelde;F. Klaassen
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. V. Langevelde;F. Klaassen
