Fabrication of high-mobility n-type carbon nanotube thin-film transistors on plastic film
Fabrication of high-mobility n-type carbon nanotube thin-film transistors on plastic film
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塑料薄膜上高迁移率n型碳纳米管薄膜晶体管的制备
DOI：
10.1002/pssc.201300231
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Y. Ohno
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Yasunishi;S. Kishimoto;E. I. Kauppinen;and Y. Ohno
我们通过简单的转移工艺和基于溶液的聚乙烯亚胺（PEI）化学掺杂技术在塑料薄膜上制备了柔性型碳纳米管薄膜晶体管。存在一个最佳的PEI浓度，这取决于掺杂水平和PEI层中的电荷积累。在大气中，开关比为105时，电子迁移率达到70 cm ~ 2/Vs。（© 2013 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA，魏因海姆）
We fabricated flexiblen‐type carbon nanotube thin‐film transistors on a plastic film by a simple transfer process and a solution‐based chemical doping technique with polyethyleneimine (PEI). There exists an optimal PEI concentration, which is determined by doping level and charge accumulation in the PEI layer. A high electron mobility of 70 cm2/Vs was achieved with an on/off ratio of 105in ambient air. (© 2013 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)