Performance comparison between the InAs-based and GaSb-based type-II superlattice photodiodes for long wavelength infrared detection
Performance comparison between the InAs-based and GaSb-based type-II superlattice photodiodes for long wavelength infrared detection
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用于长波长红外探测的 InAs 基和 GaSb 基 II 型超晶格光电二极管的性能比较
DOI：
10.1364/oe.25.001629
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
3.8
通讯作者：
Chen JX
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Wang Fangfang;Chen Jianxin;Xu Zhicheng;Zhou Yi;He Li;Chen JX
