Defect-engineering in SiC by ion implantation and electron irradiation
Defect-engineering in SiC by ion implantation and electron irradiation
复制标题
通过离子注入和电子辐照进行 SiC 缺陷工程
DOI：
10.1016/j.mee.2005.10.040
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发表时间：
2006
影响因子：
2.3
通讯作者：
W. J. Choyke
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
G. Pensl;F. Ciobanu;T. Frank;D. Kirmse;M. Krieger;S. Reshanov;F. Schmid;M. Weidner;T. Ohshima;H. Itoh;W. J. Choyke
