M.Yanagisawa, S.Iida, Y.Horiike: "Numerically Controlled Dry Etching Technology for Flattening of Si Wafer which Employs SF_6/H_2 Downstream Plasma"Jpn. J. Appl. Phys.. 41. 2791-2795 (2002)
M.Yanagisawa, S.Iida, Y.Horiike: "Numerically Controlled Dry Etching Technology for Flattening of Si Wafer which Employs SF_6/H_2 Downstream Plasma"Jpn. J. Appl. Phys.. 41. 2791-2795 (2002)
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M.Yanagisawa、S.Iida、Y.Horiike：“采用 SF_6/H_2 下游等离子体的硅晶圆平坦化数控干蚀刻技术”Jpn。
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