Application of liftoff low‐temperature‐grown GaAs on transparent substrates for THz signal generation
Application of liftoff low‐temperature‐grown GaAs on transparent substrates for THz signal generation
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透明基板上剥离低温生长砷化镓的应用用于太赫兹信号产生
DOI：
10.1063/1.117357
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发表时间：
1996
影响因子：
4
通讯作者：
K. Ploog
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
H. Heiliger;M. Vosseburger;H. Roskos;H. Kurz;R. Hey;K. Ploog
采用低温生长GaAs（LT-GaAs）的外延剥离（ELO）在光学透明衬底上制备用于太赫兹应用的（亚）皮秒光电导开关。选择玻璃作为晶圆上探针的衬底，而选择蓝宝石作为自由空间天线。
Epitaxial liftoff (ELO) of low‐temperature‐grown GaAs (LT‐GaAs) is employed to fabricate (sub)picosecond photoconductive switches on optically transparent substrates for THz applications. Glass is selected as a substrate for on‐wafer probes while sapphire is chosen for free‐space antennas.